為深化產教融合，推動學科與產業接軌，5月17日，無錫邑文微電子科技股份有限公司副總經理、首席科學家葉國光博士受邀為我校師生帶來“離子注入工藝”課程。課程采用線上線下同步課堂形式，我校微專業學生、DBU大學研究生以及慕名而來的師生共百余人參與學習。數理學院微專業負責人陳麗主持。

數理學院副院長孫玉芹代表學院向葉國光博士頒發學院特邀教師聘書。孫玉芹在致辭中表示，半導體技術是國家戰略科技的重要方向，希望通過此次合作，構建校企協同的立體教學體系，培養更多行業需要的復合型人才。

葉國光博士以“離子注入工藝與技術”為核心，結合自身豐富的行業經驗，系統講解了離子注入的基本原理、工藝技術、應用場景及未來趨勢。他從原子模型的演進切入，詳細闡釋了離子注入的物理基礎，即離子與原子的碰撞機制。通過對比彈性碰撞與非彈性碰撞的能量守恒特性，結合截面、碰撞頻率、平均自由程等關鍵參數，深入淺出地揭示了離子注入實現精準摻雜的科學原理。他特別強調，離子注入就像“原子級的精準雕刻”，通過控制離子能量與劑量，能實現納米級的摻雜深度與濃度調控。

圍繞離子注入機的核心組件，葉博士從離子源的熱電子發射機制，到磁分析器對荷質比的篩選作用；從加速電場對離子能量的調控，到掃描系統對注入均勻性的保障，全方位展示了離子注入工藝的復雜性與精密性。他以具體案例說明在先進制程中，離子注入需與快速熱退火（RTA）、預非晶化（PAI）等技術結合，以解決晶格損傷與溝道效應等挑戰。

葉博士結合半導體產業實際，闡述了離子注入在邏輯芯片、存儲芯片、功率器件等領域的關鍵作用。例如，在 FinFET、GAA 等先進晶體管結構中，離子注入用于閾值電壓調節與超淺結形成；在 SiC、GaN 等寬禁帶半導體中，高溫離子注入技術是實現高效摻雜的核心手段。他還展望了離子注入在量子計算、光電子器件等前沿領域的應用潛力，隨著3nm 以下制程的發展，等離子體浸沒注入（PLAD）等新技術將成為突破傳統束流注入局限的關鍵。

面對摩爾定律的持續演進，葉博士分析了離子注入技術面臨的核心挑戰，如超低能注入的束流穩定性、三維器件結構的側壁摻雜均勻性等。他介紹了等離子體摻雜（PLAD）、原子層摻雜（ALD-assisted doping）等新興技術，以及人工智能在工藝優化中的應用前景，通過機器學習算法分析海量數據，可實現注入參數的智能預測，大幅縮短工藝開發周期。

課程的互動環節中，師生們圍繞“國產離子注入設備的技術突破”“輕雜質淺結形成的工藝優化”“AI在半導體行業應用” 等問題踴躍提問，葉博士結合行業現狀與技術細節逐一解答，現場氣氛熱烈。同學們紛紛表示，葉博士的講座讓他們跳出課本，看到了半導體工藝的“真實戰場”，對微專業的學習方向有了更清晰的認知。

葉國光博士在半導體行業深耕逾25載，是化合物半導體器件與ALD原子層沉積技術領域的資深專家，尤其在LED芯片與封裝領域成果豐碩。其豐富的行業經驗與深厚的學術造詣，為本次課程奠定了高起點的專業基調。未來，學院將以葉國光博士等行業專家為紐帶，持續引入產業資源，打造“理論教學-實驗實訓-企業實踐”的全鏈條培養模式，為我國半導體產業輸送更多兼具學術素養與工程能力的創新型人才。

數理學院 供稿