為深入推動高水平產教融合，構建“高校+企業+專家”聯合育人模式，5月27日及6月7日，我?！鞍雽w物理基礎與實踐”微專業第五講與第六講開講。全球半導體行業資深專家、密歇根大學化學工程博士鄧覺為應邀擔任主講，為師生帶來了兩場理論與實踐深度融合的行業前沿課程。課程采用線上線下同步授課形式，我校微專業學生、DBU大學研究生、企業工程師及相關專業師生百余人參加學習。課程由數理學院微專業負責人陳麗主持。

課前，數理學院副院長孫玉芹與上海積塔半導體有限公司資深總監許端格博士為鄧覺為博士頒發特邀教師聘書，感謝其對學院人才培養工作的支持與貢獻，并期待未來在科研合作和學術交流方面開展更深層次的合作。

課堂上，鄧覺為博士分別以“薄膜工藝介紹”及“擴散工藝介紹”為主題展開講授。課程內容涵蓋薄膜概述與分類、PVD與CVD工藝技術、CMP平坦化原理、擴散摻雜機制、快速熱退火、激光退火技術以及High-K金屬柵等關鍵工藝模塊。課程內容緊扣集成電路制造中的核心步驟，理論體系嚴謹，案例材料豐富，幫助學生全面理解從材料沉積、界面處理到熱處理優化的完整工藝流程。在講解薄膜物理氣相沉積（PVD）時，鄧博士深入介紹了磁控濺射、IMP（離子化金屬等離子體濺射）、SIP（自電離等離子體濺射）等先進技術對提升接觸孔填充質量的顯著效果，并闡述了PECVD等離子增強型化學氣相沉積在低溫沉積中的工藝優勢。在化學機械平坦化（CMP）模塊，鄧博士揭示了“化學腐蝕與機械研磨協同作用”的工藝原理，強調CMP在實現晶圓表面全局平整度中的決定性作用。針對擴散工藝內容，鄧博士從傳統爐管擴散講起，逐步引入快速熱退火（RTA）、激光退火（LTA）等新型工藝手段，并結合高介電常數金屬柵（High-K/Metal Gate）技術在先進制程中的應用進行了深入分析。他指出，擴散和退火作為半導體制造中的“熱處理之道”，在調控摻雜分布、優化載流子遷移率及提升器件性能方面發揮著不可替代的作用，是實現工藝性能與成本平衡的關鍵節點。

在授課尾聲，鄧覺為博士寄語青年學子：“半導體行業的發展離不開‘膽大心細’的探索精神?！爆F場還設置了“問題與解答”環節。同學們積極提問，涵蓋從具體工藝參數控制到未來發展方向的多個話題，鄧博士逐一耐心解答，現場互動熱烈，學術氛圍濃厚。

課程結束后，鄧博士與現場同學、老師及領導一同合影留念，記錄下這兩場高水平、高質量、互動性強的專題講座。此次活動不僅為學生帶來了前沿的半導體技術知識，也為學院持續深化產學研融合提供了寶貴契機。

鄧覺為博士在半導體領域深耕超過40年，包含8年研發與32年運營經驗，職業生涯中參與并負責6個晶圓廠從項目規劃到量產的全過程，累計獲得美國、臺灣、大陸專利50余件。他以其深厚的專業功底和實戰經驗，為學院課堂注入了鮮活的工程視角，成為連接前沿產業與高校育人的重要橋梁。本輪課程反響熱烈，多位學生表示，課程內容系統、講解生動，極大拓寬了他們對半導體工藝核心環節的認知與理解，也進一步增強了投身相關產業的信心與熱情。

未來，數理學院將持續推進高水平專家“進課堂”計劃，積極引入全球產業資源，搭建校企協同育人平臺，為培養具有國際視野與工程能力的“芯”人才不斷努力，為服務國家半導體戰略發展貢獻高校智慧與力量。

數理學院 供稿